삼성전자가 반도체 학회인 'VLSI 심포지엄'에서 차세대 핵심 반도체 기술을 대거 선보였다.

이번 VLSI 심포지엄에서 50나노 이하급 차세대 트랜지스터 제조기술, 64Mb 대용량 P램 기술 세계최초 개발, 신물질(루테늄:Ru)을 적용한 구리배선 기술 등 총 22편의 차세대 반도체 기술을 발표해 업계의 이목을 집중시켰다.

또한 'VLSI학회'에서 最多 논문을 발표해 세계 3大 반도체학회를 석권하는 "그랜드슬램"을 달성하게 됐다.

이밖에 신물질(루테늄:Ru)을 적용해 구리를 사용한 증착 공정(CVD 공정)에서 접착력 약화 문제에 대한 해결 방안을 제시했으며, 로직용 플래시 공정을 단순화 할 수 있는 신막질[LONOM(Local Oxide Nitride Oxide Memory)] 기술을 발표했다.

삼성전자는 향후에도 지속적으로 국제 반도체 학회에서의 활동을 강화해 '반도체 한국'에 이어 '나노기술 한국'을 위해 노력할 계획이다.

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